找回密码
 立即注册

台积电2nm工艺重大突破!量产在即

2020-11-17 11:21 来源: 中关村在线 IT资讯

最新报道,台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,2024年就能步入量产阶段。

台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,同时延续摩尔定律,继续挺进1nm工艺的研发。

台积电预计,苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺。

2nm工艺上,台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。

从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,可以视为从二维到三维的跃进,能够大大改进电路控制,降低漏电率。

当然,新工艺的成本越发会成为天文数字,三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元,3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。

台积电很少披露具体工艺节点上的投入数字,但是大家可以放开去想象了……

(7567789)

  免责声明:本网内容转载自其他媒体,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益,请及时联系我们,本站将会在24小时内处理完毕。

  另,市场有风险,选择需谨慎!此文仅供参考,不作买卖依据,投资者若据此操作,风险自担。

  投稿邮箱:[email protected]。详情访问科技快报网:http://www.citreport.com

编辑:科技快报网
微信公众号
意见反馈 科技快报网微信公众号