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三星计划2022年量产3nm 首发GAA工艺 计划两年追上台积电

2020-11-17 19:04 来源: 中关村在线 IT资讯

尽管目前三星半导体的工艺水平较台积电仍有一些差距,但三星的进步速度可谓有目共睹。在今年三星实现5nm量产之后,表示计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。此前英特尔时代人们一度认为摩尔定律失效,但如今摩尔定律又在发挥着神奇的效力。

三星计划2022年量产3nm

从2019年开始,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元(约合1160亿美元)成为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

三星计划2022年量产3nm

最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。台积电方面原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

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编辑:sophia
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