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iPhone XS运存揭晓 “高达”4GB创新纪录

2018-9-14 21:23| 作者: 科技快报网 | 评论: |来源: 手机中国

原标题:iPhone XS运存揭晓 “高达”4GB创新纪录

由于系统机制的问题,iPhone对RAM的需求相比Android手机低很多。因此,在许多安卓旗舰机已经用上8GB运存的时候,iPhone X还停留在3GB时代。那么,最新发布的3款新iPhone,运存会不会有提升呢?

iPhone XS系列

日前,外媒LetsGoDigital公布了iPhone XS Max和iPhone XR的Geekbench 4跑分信息。下图显示,iPhone XS Max搭载的是4GB运存,创下历代iPhone新纪录,而iPhone XR配备的是3GB运存。相比之下,iPhone X、iPhone 8 Plus同样配备的是3GB运存。至于iPhone XS,和XS Max一样也采用4GB运存。

iPhone XR(图源:LetsGoDigital)

iPhone XS Max跑分(图源:LetsGoDigital)

iPhone XS Max和iPhone XR均搭载最新的苹果A12仿生芯片,是全球首款商用的7nm移动芯片,性能相比上一代提升巨大。如图,iPhone XS Max单核成绩为4813,多核成绩达到10266,iPhone XR单核成绩为4754,多核成绩为9367。与之对比,骁龙845手机的单核和多核成绩大约在2300分和9000分。

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