找回密码
 立即注册

英特尔公布技术路线图,5年量产新技术并进军3nm?

2020-6-24 17:01 来源: IT168王一闻 IT资讯

  虽然近年来英特尔在制造工艺上的进步相当缓慢,将14nm工艺翻来覆去用了好几年,但是真要论半导体方面的技术实力,英特尔在世界范围仍是名列前茅的存在。而在今日刚刚结束的国际超大规模集成电路会议上,英特尔的首席技术官、实验室总监Mike Mayberry就谈到了英特尔对外来的技术研究和方案。

  Mike Mayberry表示英特尔未来的晶体管结构研究中,包括了GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构,乃至最终摆脱CMOS的限制。目前英特尔采用的是FinFET立体晶体管,受本身的结构限制,很难做得更小,而全新的GAA环绕栅极结构则是重新设计了晶体管底层结构,所以可以做得更小、更宽。目前在该领域有所研究的并不止英特尔,三星、台积电都有这方面的研究。

  随后,有记者问Mike Mayberry:“之前提到的纳米线、纳米带结构的晶体管何时能够量产?”,对此,Mike Mayberry表示并没有明确的时间,但是在5年内应该可以完成。作为英特尔目前路线图中的最终方案,纳米线/带结构的晶体管将会有望被运用到3nm工艺上。不过,Mike Mayberry同时也说道,如果工艺方面进展不顺利,那么也有可能会用到5nm工艺上。

  免责声明:本网内容转载自其他媒体,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益,请及时联系我们,本站将会在24小时内处理完毕。

  另,市场有风险,选择需谨慎!此文仅供参考,不作买卖依据,投资者若据此操作,风险自担。

  投稿邮箱:[email protected]。详情访问科技快报网:http://www.citreport.com

编辑:科技君
微信公众号
意见反馈 科技快报网微信公众号