近日从供应链获悉,国产氮化镓快充研发取得重大突破,三大核心芯片实现自主可控,性能达到国际先进水准。 氮化镓(gallium nitride,GaN)是下一代半导体材料,其运行速度比旧式传统硅(Si)技术加快了二十倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于尖端快速充电器产品时,可以实现远远超过现有产品的性能,在尺寸相同的情况下,输出功率提高了三倍。 也正是得益于这些性能优势,氮化镓在消费类快充电源市场中有着广泛的应用。充电头网统计数据显示,目前已有数十家主流电源厂商开辟了氮化镓快充产品线,推出的氮化镓快充新品多达数百款。 |
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