2nm芯片研发重大突破！台积电狂甩三星，2023年后半年推出

台积电2nm制程研发获重大突破!

据台媒透露，有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构，研发进度超前。

根据台积电近年来整个先进制程的布局，业界估计，台积电2nm将在2023下半年推出，有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。

台积电：第一家官宣2nm工艺，研发进度超前

几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即摩尔定律。

摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。

然而，在摩尔定律放缓甚至失效的今天，全球几大半导体公司依旧在拼命「厮杀」，希望率先拿下制造工艺布局的制高点。

台积电5nm已经量产，3nm预计2022年量产，2nm研发现已经取得重大突破!

去年6月，台积电正式宣布启动2nm工艺的研发。

按照台积电给出的指标显示，2nm工艺是一个重要节点。Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23%。