台积电2nm获得突破，最早2024年就能量产

　　根据台湾经济日报的报道，台积电的2nm工艺在近日获得了重大的突破，研发进度超前，甚至可能在2023年的风险试产中达到90%的良品率，商用的时间将比原本预计的时间提前许多。而且，距离台积电的2nm研发团队创立也仅仅是过去了1年的时间，所以台积电的本次突破也出乎了业界的预料。

　　据悉，台积电的2nm工艺将采用环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。而在极紫外光微显影技术方面的进步让台积电的 纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术更为成熟，良品率的提升比预期的顺利许多。台积电目前已经为2nm规划了四个超大型晶圆厂。

　　如无意外，按照目前的进度，台积电将在2024年正式量产2nm芯片，并且有报道指出，苹果已经开始与台积电合作研发2nm的iPhone芯片，此后台积电还将成立新的研发团队开始2nm以下的工艺研发。

　　对于2nm芯片带来的提升，业界也是相当的看好，此前台积电的总裁在一次演讲上也透露，接下来的制程没进步一个世代，性能就可以提升30%-40%，功耗则可以降低20%-30%。可以说，接下来的两三年里，手机处理器的性能也许还将迎来两次质变。