(原标题:消息称四大安卓 SoC 厂商明年旗舰芯和中端芯均为 1+3+4 架构设计) 明年的高通骁龙、海思麒麟、三星猎户座、联发科天玑四大厂商的的主力旗舰芯片和中端芯片全员将采用1+3+4架构设计。 高通方面,此前已有大量爆料显示该芯片将采用 “1+3+4”八核心设计,具体为1个2.84GHz 超大核心 Cortex X1、 3个2.42GHz 的 A78内核,以及4个1.8GHz 的 A55内核。而通过此前泄露的跑分测试来看,骁龙875的测试成绩仍将保持安卓 SoC 第一梯队性能。骁龙885方面尚未有爆料信息,该博主所指较大可能为骁龙875,该芯片有望于12月1日或2日正式发布,届时虽然不清楚之后的排期和命名等信息,但海思方面极大可能仍将迭代推出新的麒麟芯片,例如麒麟10000,成品制造方面先不考虑,架构设计方面应该也将会是第一梯队水平。 三星方面,此前多次爆料的 Exynos 2100性能表明该芯片不一定输其他同期产品。虽然之前多数爆料偏向于骁龙875是这一代唯一的采用 ARM Cortex-X1内核的产品,但后来有可靠爆料者表示 Exynos 2100也将采用 ARM Cortex-X1架构。此外,E2100也将配备具有14个图形内核的 ARM Mali-G78 GPU,性能值得期待。 联发科方面,天玑1000系列续作仍没有消息传出,但无论怎样更迭,天玑1000系列性能和基带在目前业界的水准依然是顶流,因此只有联发科方面按部就班的迭代更新,性能方面自然会有更值得期待的看点。
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