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三星分享3mm GAE MBCFET芯片制造细节

2021-03-14 09:30:50 来自: 中关村在线

三星电子和台积电都计划开发3nm工艺技术。据外媒报道,三星在IEEE国际固态电路会议上分享了即将推出的3mm GAE MBCFET芯片制造细节。

GAAFET晶体管在结构上有两种形式,是目前FinFET的升级版。三星表示传统的GAAFET工艺用三层纳米线构建晶体管,栅极相对较薄;而三星MBCFET工艺使用纳米片来构建晶体管,已为MBCFET注册了商标。三星表示,两种方法都可以达到3nm,但要看具体设计。

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发布者:科技快报网

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