|
上周，三星电子宣布推出全新的8nm射频芯片制程工艺，该技术基于一种全新的架构，8nm射频专用架构，名为RFextremeFET (RFeFET)，可以显着改善射频特性，同时使用更少的功率。 与此前的14nm制程工艺相比，全新的8nmRFeFET架构补充了数字PPA缩放，同时提升模拟/RF性能，从而打造出更高性能的5G平台。此外，新的8nm射频芯片可提高35%的能效并减少35%的射频芯片面积。 据外媒报道，三星电子计划将这一先进的工艺用于支持多通道和多天线芯片设计芯片的5G通信从而将三星在Sub-6GHz到毫米波的领先优势继续扩大，进而抢占5G射频芯片的代工市场。 (7705422) |
免责声明：本网站内容由网友自行在页面发布，上传者应自行负责所上传内容涉及的法律责任，本网站对内容真实性、版权等概不负责，亦不承担任何法律责任。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，并请自行核实相关内容。本站不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如若本网有任何内容侵犯您的权益，请及时联系我们，本站将会在24小时内处理完毕。
京公网安备11010802031211号