壁仞科技港股落地,长鑫科技188.67亿研发投入+5589项专利冲刺科创板

1月2日,被誉为“港股GPU第一股”的壁仞科技正式挂牌上市,成为2026年港股市场的第一只新股,为新一年的科技投资热潮奠定了基调。壁仞科技与燧原科技、摩尔线程、沐曦股份并称为“国产GPU四小龙”,构成了国产高端算力芯片的核心力量。

在壁仞科技敲钟的三日前,中国半导体产业在另一个关键领域——存储芯片也迎来了重大进展。2025年12月30日,国内DRAM存储芯片的领军企业——长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”)也正式向上海证券交易所递交了科创板IPO招股说明书。

长鑫科技招股书披露,作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化(IDM)企业,长鑫科技拟募集295亿元,有望为中国存储芯片产业的后续发展注入强劲的资本动力。

壁仞科技与长鑫科技两家企业分别作为国产GPU与DRAM领域的领军者,其资本化进程的加速,不仅为各自赛道注入了强劲的市场活力,也向外界释放出中国半导体硬科技企业加速拥抱资本市场的积极信号。

其中,刚刚披露招股书的长鑫科技,其详细的财务与运营数据,为我们观察中国半导体企业如何穿越产业周期、实现技术突围提供了一个极具价值的样本。该公司的发展轨迹,清晰地印证了半导体行业著名的“J型曲线”规律:前期需要巨额投入进行产线建设和技术研发,随着产能释放和技术成熟,逐步实现营收和利润的增长。

高投入下的增长飞轮:2022-2024年主营业务收入复合增长率高达72.04%

长鑫科技正处于这条曲线的关键爬升期。招股书显示,2022年、2023年、2024年、2025年1-9月,长鑫科技的营业收入分别达82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元及320.84亿元,2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元,其中,2025年上半年毛利达20.07亿元,2022 年至2024 年主营业务收入复合增长率高达72.04%。这种业绩提升势头一定程度上得益于前期在技术研发与迭代上“不计成本”式的投入。

长鑫科技采用IDM模式,自建晶圆厂。这是一条资本密集度极高的道路,全球DRAM头部企业三星、美光、SK海力士均采用此模式。根据SEMI统计,一座先进的晶圆厂总投资往往在100-200亿美元之间,且从建设到满产需要数年时间。

长鑫科技自2016年成立以来,已在合肥、北京两地布局了3座12英寸DRAM晶圆厂。招股书披露,其产能利用率稳步提升,从早期的85.45%一路攀升至2025年的94.63%。产能的迅速释放,使长鑫科技按产能和出货量统计,已稳居中国第一、全球第四的位置,市场份额在2025年第二季度已增至3.97%。

研发驱动,产品性能跻身国际第一梯队

2022年至2025年上半年,长鑫科技累计研发投入达188.67亿元,占同期累计营业收入的33.11%。仅2025年上半年,其研发费用率就高达23.71%,远超同期行业平均值。这种高强度的研发投入,构筑了长鑫科技的核心护城河。

长鑫科技招股书显示,截至2025年6月30日,公司共拥有5,589项境内外专利,其中包含3,116项境内专利及2,473项境外专利。根据世界知识产权组织的统计数据,其2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位;根据美国权威专利服务机构IFI数据,其2024年美国专利授权排名全球第42位,在所有上榜的中国企业中排名第四。

依托“质”与“量”并重的专利体系,长鑫科技采取“跳代研发”的策略,完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产,核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。例如推出的LPDDR5X产品最高速率达到10667Mbps,较上一代提升66%;首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps,单颗最大容量24Gb,成功实现了在高端市场的技术突破和产品落地。

资本与产业的共振,重塑全球格局

在全球DRAM市场由国际巨头掌握先发优势的背景下,长鑫科技能够实现后发追赶破局,是中国半导体产业在政策支持、市场需求和资本助力下共同作用的结果。

中国是全球最大的DRAM需求市场之一,但长期以来高度依赖进口。长鑫科技的出现,不仅填补了国内产业的空白,更有望成为重塑全球DRAM产业竞争格局的关键一极。

随着长鑫科技、壁仞科技等一批优秀硬科技企业的上市,中国半导体产业的“芯”版图正在加速完善。这不仅是资本市场的盛宴,更是中国科技自立自强道路上的一座座里程碑。我们有理由相信,在资本的长期助力下,中国半导体企业将不断构建核心竞争力,在全球产业格局中占据越来越重要的位置,为数字中国的建设提供坚实、安全的“芯”基石。