三星S9+外形细节偷跑：额头/下巴变窄 拍照也是亮点

1月27日，爆料大神evleaks将三星Galaxy S9/S9+双旗舰的外形、主要配置泄露了一个底朝天，可以说，轮廓已经非常明朗。

据Slashleaks，一张三星S9 Plus的CAD工程设计照现身，确信度暂时标记为100%。

这张图呈现出的主要信息包括，S9+无论是额头还是下巴的黑边宽度都要比前作窄，说明三星继续对屏占比进行了优化改良，预计上手后的正面视觉效果更富冲击力。

同时，这也使得S9+的长度变小，三维从S8+的159.5x73.4x8.1mm调整为157.7x73.8x8.5mm，至于变厚了这点，可能会转化为大电池、模组更强的CMOS和摄像头不凸起。

图为Galaxy S8+

顶部的传感器方面，排布和S8+时代完全一致，如果是这样，那的确让人好奇三星准备如何实现更强的人脸识别功能以及类似iPhone X的Animoji 3D动画功能。

当然，必须要说的是，三星S9/S9+首发骁龙845芯片以及在发布会邀请函中反复强调的拍照实力也会是让人期待的看点。

感兴趣的朋友可以锁定北京时间2月26日凌晨1点三星S9的全球发布会，一览机皇风采。

最后一题，消息称，小米、LG、HTC的骁龙845都不会在MWC上亮相，看来只能等开春了。