iPhone 7大容量版本可能采用TLC存储芯片

（原标题：iPhone 7大容量版本可能采用TLC存储芯片）

根据著名拆机网站ifixit.com的拆解，显示他们拆解的这台iPhone 7 Plus 128GB版本采用了东芝的TLC闪存芯片。ifixit.com的拆解的第15步显示，他们拆解的iPhone 7 Plus采用了一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝闪存（NAND）芯片。根据网上一份2010年的东芝NAND部件代码的解释，其中T0表示1Tbits = 128GB，而T0之后的T表示8 Level(3 bits/cell)，即TLC。

iPhone 6发布的时候，显示部分64GB和128GB版本采用了TLC，由于TLC可能存在的掉速和较低的P/E值，引起一些争论。此代iPhone 7的容量跨度更大，128GB和256GB的闪存很有可能部分采用了TLC。不过随着闪存芯片制程的降低和3D NAND技术的引入，MLC的优势和TLC的一些问题可能已经有所改观。