三星2019年旗舰机Galaxy S10发布日期即将到来,相关的产品消息也在逐渐露出水面,1月30日三星发布了旗下的最新闪存芯片——容量高达1TB的eUFS芯片,或将在Galaxy S10+顶配上使用。 对三星有过了解的人都知道,三星家大业大拥有众多产业,甚至围绕整个手机生产制造的一系列生产都早已具备。三星的闪存芯片业务也是其中的一个代表性业务,在带来128GB的eUFS芯片四年后,又进一步突破带来了1TB的eUFS芯片。 1TB eUFS采用三星的第五代V-NAND技术制造,存储容量达到了现在手机主流存储容量64GB的20倍,写入速度260 MB/s,读取速度1000 MB/s,达到了microSD卡的10倍速度,非常适合需要进行大容量存储的场景。 1TB eUFS芯片的封装尺寸控制在了和2017年底发布的512GB eUFS同样的大小(11.5mm x 13.0mm)内,也就是说采用512GB eUFS芯片设计的手机有机会换用1TB eUFS芯片。 三星在MWC 2019开幕前发布适用于手机平板的1TB eUFS,难免让人联想到即将在2月20日发布的三星2019年旗舰机Galaxy S10系列,其中较大的Galaxy S10+采用6.4英寸AMOLED屏幕,支持屏下指纹并在屏幕右上角放入了双摄像头,背面放置了后置三摄像头组合。 如此强悍的外部设计,内在的硬件自然也十分强劲,传闻S10+在采用高通最新的骁龙855平台的同时,提供12GB内存+1TB存储的顶配版本,其中国行版S10/S10+都有望搭载最低8GB容量的内存。 假使Galaxy S10+顶配使用上了三星新发布的1TB eUFS,那么这将是首款采用单芯片1TB存储的手机,此前定价8848元的1TB版坚果R1采用了两颗512GB UFS的组合。 |
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