8月2日消息,三星官方公布了一份时间表,展示了自家6nm、5nm、4nm芯片的研发情况:6nm制式芯片将于今年下半年投入量产;5nm制式芯片已经设计完成,明年上半年将投入量产;4nm制式芯片正处在研发阶段,将于几个月内设计完成。 据悉,此次的三星6nm、5nm、4nm芯片,都是在7nm芯片的工艺基础上改进而来。三星公布的技术发展示意图显示,三星的芯片研发分为14nm、10nm、7nm、3nm这四个关键节点。其中,在3nm工艺之前,每个节点都有3至4代的内部迭代空间;而3nm则采用突破性的全新设计,或将成为短期内三星芯片的“最终形态”。 此前还有媒体报道,三星旗下工厂已经更新一批新的芯片生产设备,用于搭建全新的5nm芯片生产线。据悉,该生产线耗资约6万亿韩元(约合人民币350亿元),预计在今年搭建完成,明年开始大批量生产。这条生产线经Cadence和Synopsys认证,采用了极紫外光刻(EUV)工艺技术,目前在业内较为领先。 据悉,三星的5nm芯片与7nm相比,拥有更小的面积和更高的晶体管密度。实际使用中,其逻辑效率将提升25%、整体性能将提升10%,而功耗将降低20%,今后或将广泛运用于5G、人工智能、物联网搭建等领域。 本文编辑:张亦非 |
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