高通835确认支持QC 4.0快充，三星10nm强势助攻

对于高通的下一代旗舰处理器，早有传闻称骁龙830改名为骁龙835，由三星代工。而这一消息如今已经被高通确认，下一代旗舰处理器名为骁龙835，同时表示将和三星深度合作，采用三星的10nm工艺打造这一处理器，这款处理器将取代目前骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。

三星和高通合作（图片源于网络）

三星最新的10纳米FinFET相比上一代的14纳米FinFET，可以在减少高达30％的体积的同时，带来27％的性能提升以及40％的功耗降低，更小的体积和更高的性能可以方便厂家研发出更轻薄、更持久续航的产品。同时提到如今骁龙835已经投产，明年上半年正式商用，目前并没有更多关于骁龙835的配置参数。

三星10nm制程（图片源于网络）

另外，消息表示骁龙835将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术，最高功率可达28W，Quick Charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge，与使用QC 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对USB Type-C和USB-PD的支持。

高通QC 4.0快充技术（图片源于网络）

早期也有消息称高通和三星合作，高通将下一代处理器全部交由三星代工，作为交换条件，三星下一代产品S8，半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高，既然三星和高通已经达到深度合作的关系，相信下一代的Galaxy S8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。

2017年MWC大会（图片源于网络）

目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品——Galaxy S8，从时间上看，也符合骁龙835正式商用的日期。对如今的三星来说，S8无疑是决定命运的一款手机，期待三星能够为我们带来一款足够惊艳的Galaxy S8。