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联电14nm FinFET工艺研发成功:今年第一季度开始量产

2017-01-24 11:00:22 来自: 超能网Bolvar

凭借28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先,TMSC台积电这几年几乎垄断了全球晶圆代工业,2016年代工产值约为500亿美元,TSMC一家就占据60%的份额,远高于三星、GlobalFoundries及UMC联电。台湾地区之前有TSMC台积电、UMC台联电双雄,不过联电在28nm工艺之后不论营收还是工艺技术都已经大幅落后于TSMC,好在他们现在也开始量产14nm工艺了,官方表示联电的14nm工艺表现符合业界水准,良率也达到了客户要求。

联电昨天举行法人会(财报会),CEO颜博文公布了去年Q4季度营收——当季合并营收383.1亿新台币(83.8亿人民币),环比上一季度的381.6亿基本持平,相比2015年Q4季度增长13.2%,毛利率约为22.9%,净利润为25.5亿新台币,环比、同比减少4.4%、19.4%,不过产能利用率达到了94%。

2016全年营收达到了1478.7亿新台币(323亿人民币),同比增长2.1%,但是净利润只有83.16亿新台币,同比减少38.2%。

如果与TSMC台积电的成绩相比,联电的差距就太明显了,TSMC公司前不久公布的2016年Q4季度营收为262.3亿新台币,毛利率高达52.3%。

导致联电毛利率上不去的原因就在于高端制程太少了,他们的主力还是40nm及以下工艺,28nm工艺才量产一年多,今年Q2季度贡献的营收才达到20%左右。此后的工艺中,UMC也跳过了20nm,FinFET工艺他们也选择了14nm FinFET,技术来源为IBM授权。

好消息是联电的14nm现在可以量产了,根据颜博文所说,经过与客户的紧密合作之后,联电的14nm FinFET工艺不论性能还是功耗表现都达到了业界水平,良率也达到了客户要求,预计今年Q1季度开始出货。

目前还不知道联电所说的14nm工艺到底是什么水平,而三星、TSMC在FinFET工艺上已经开发出LPE低功耗、LPP高性能以及LPC/FPC等至少三代工艺了,联电首次量产的14nm工艺应该也低功耗型的,追赶TSMC的道路还是非常远的。

不过联电多了14nm工艺之后,可以争取更多高端客户了,不仅可以改善自己的毛利率,这对其他排不到TSMC产能的厂商来说也多了个选择,一家独大的TSMC现在不鸟那些小客户了,有钱都拿不到产能。

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