台积电2nm制程研发取得突破

7月13日消息（记者 刘文轩）据台湾经济日报消息，台积电2nm技术研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术（gate-all-around，GAA）技术。

消息称，三星决定在3nm率先导入GAA 技术，并宣称到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位。不过台积电积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，目前已成功找到切入GAA 路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界预测，台积电2nm推出时间将在2023年到2024年之间。