日本也不甘寂寞，牵头打造2nm工艺再次杀回半导体市场

　　在半导体领域，日本其实一直有着不错的实力，在中国台湾和韩国之前日本在半导体行业也是占据着主要地位，但是随后却是被美国收割了大半，最终只能在原材料方面苟延残喘。不过，日本的半导体工业底蕴还是在的，近日日本工业技术研究院（AIST）和中国台湾半导体研究中心（TSRI）的联合研究小组就宣布了用于2nm工艺的Si/ Ge/ Ge层压材料，并且已经开发出了一种异质互补场效应晶体管。

　　简单来说，该研究小组已经成功在2nm工艺上取得了突破，比三星还有台积电的进度都更快。作为达到1nm这个硅基材料的最终终点前的最后一站，2nm工艺所面临的难度要高于3nm工艺，所以这次工艺的突破也算是半导体行业的又一里程碑，至少对于日本的半导体行业来说，这意味着他们又一次站在了行业的前列。

　　不过，虽然取得了突破，但是距离商用生产还有很长的一段路要走，而且目前主要半导体代工厂商都将精力放在了3nm的突破和公关上，对于2nm的关注度其实并不高，目前来看，可能在2-3年内都不太可能看到2nm工艺的出现。另外，该研究小组似乎有意对该技术进行转让，对于台积电和三星来说也许会是一个不小的诱惑。