半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段

  深能级瞬态谱能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过深能级瞬态谱仪对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS谱。FT1230 是一款测量半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。

德国Phystech FT1230深能级瞬态谱仪特征：

自动接触检查常规测试和加强软件自动电容补偿三终端FET电流瞬态测量

大电容和浓度范围

灵活性高、模块化硬件

支持各种冷却仓和温度控制器傅里叶转换（F-DLTS），比例窗口和用户自定义校正功能

DLTFS（深层瞬态傅里叶光谱仪）评价

目前该产品FT1230正在和国内知名的WAD集团，上海埃飞电子科技有限公司合作，为国内科研机构提供快速有效的半导体测试解决方案。

       PhysTech 在1990 年推出了第一台数字 DLTS，随着电脑技术的发展，使得在短时间内进行复杂计算成为可能。在纯指数发射过程模型的基础上，用各种数学模型分析测量到的瞬态过程，如傅里叶转换、拉普拉斯转换、多指数瞬态拟合、ITS（等温瞬态光谱）信号重叠法、温度扫描信号重叠法（重折叠）。与其他系统相比，HERA-DLTS 具有无法比拟的能量分辨率。

技术原理：

     半导体的掺杂浓度、缺陷能级位、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。此设备根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。