三星不愿在7nm上使用DUV(深紫外)的过渡工艺,而是直接切入EUV,所以风险试产今年底才能开始,量产最快也要明年下旬了。不过,台积电和GF则思路有所不同,准备先用第一版7nm吸引客户,随后再导入EUV(极紫外光刻)。 据Digitimes报道,21日台积电举办了技术研讨会。CEO魏哲家驳斥了对台积电7nm良率提升缓慢的传言,他表示,可商用的7nm芯片生产已经启动,同时,在2019年底或者2020年初,5nm也会投入量产。 魏哲家介绍,三季度,导入EUV的增强版7nm将试产,今年底前,台积电将流片超过50款7nm芯片,用于AI、GPU和加密货币领域的居多,随后是5G基带和应用处理器(AP)。 魏哲家还预判,由于7nm的产出,2018年,台积电的12寸晶圆的总产能将达到120万片,比2017年的105万提升9%。 会上还提到,5nm和未来的3nm都将在台积电的新12寸晶圆厂(Fab 18)中率先流片,Fab 18坐落于台湾南部的科学园区,是台积电的第四座12寸晶圆厂。 当然,对于很多关注半导体和台积电的朋友来说,最想知道的还是今明两年的哪些芯片会由其7nm代工。报道援引消息人士提供的资料,新iPhone的A12芯片依然占据台积电7nm产能的大头,此外还有AMD的Vega显卡、联发科M70 5G基带、NVIDIA以及高通的产品。 |
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