英特尔公布技术路线图，5年量产新技术并进军3nm？

　　虽然近年来英特尔在制造工艺上的进步相当缓慢，将14nm工艺翻来覆去用了好几年，但是真要论半导体方面的技术实力，英特尔在世界范围仍是名列前茅的存在。而在今日刚刚结束的国际超大规模集成电路会议上，英特尔的首席技术官、实验室总监Mike Mayberry就谈到了英特尔对外来的技术研究和方案。

　　Mike Mayberry表示英特尔未来的晶体管结构研究中，包括了GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱CMOS的限制。目前英特尔采用的是FinFET立体晶体管，受本身的结构限制，很难做得更小，而全新的GAA环绕栅极结构则是重新设计了晶体管底层结构，所以可以做得更小、更宽。目前在该领域有所研究的并不止英特尔，三星、台积电都有这方面的研究。

　　随后，有记者问Mike Mayberry：“之前提到的纳米线、纳米带结构的晶体管何时能够量产？”，对此，Mike Mayberry表示并没有明确的时间，但是在5年内应该可以完成。作为英特尔目前路线图中的最终方案，纳米线/带结构的晶体管将会有望被运用到3nm工艺上。不过，Mike Mayberry同时也说道，如果工艺方面进展不顺利，那么也有可能会用到5nm工艺上。